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十種常用電容器的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)!

來(lái)源：kaidadl.com 發(fā)布時(shí)間：2020-09-15 返回

　　電容器是電子設(shè)備中常用的電子元件，下面對(duì)幾種常用電容器的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)作以簡(jiǎn)要介紹，以供大家參考。
　　

薄膜穿心電容器

　　1、鋁電解電容器：它是由鋁圓筒做負(fù)級(jí)、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正級(jí)制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正級(jí)的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負(fù)級(jí)性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負(fù)級(jí)不要接反。
　　
　　2、鉭鈮電解電容器：它用金屬鉭或者鈮做正級(jí)，用稀硫酸等配液做負(fù)級(jí)，用鉭或鈮表面生成的氧化膜做介質(zhì)制成。其特點(diǎn)是：體積小、容量大、性能穩(wěn)定、壽命長(zhǎng)。絕緣電阻大。溫度性能好，用在要求較高的設(shè)備中。
　　
　　3、薄膜電容器
　　
　　結(jié)構(gòu)與紙質(zhì)電容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低損耗塑材作介質(zhì)頻率特性好，介電損耗小不能做成大的容量，耐熱能力差濾波器、積分、振蕩、定時(shí)電路。
　　
　　4、瓷介電容器
　　
　　穿心式或支柱式結(jié)構(gòu)瓷介電容器，它的一個(gè)電級(jí)就是安裝螺絲。引線電感級(jí)小，頻率特性好，介電損耗小，有溫度補(bǔ)償作用不能做成大的容量，受振動(dòng)會(huì)引起容量變化特別適于高頻旁路。
　　
　　5、獨(dú)石電容器
　　
　　(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電級(jí)槳材料，疊合后一次繞結(jié)成一塊不可分割的整體，外面再用樹(shù)脂包封而成小體積、大容量、高可*和耐高溫的新型電容器，高介電常數(shù)的低頻獨(dú)石電容器也具有穩(wěn)定的性能，體積級(jí)小，Q值高容量誤差較大噪聲旁路、濾波器、積分、振蕩電路。
　　
　　6、紙質(zhì)電容器
　　
　　一般是用兩條鋁箔作為電級(jí)，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開(kāi)重疊卷繞而成。制造工藝簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，能得到較大的電容量。
　　
　　一般在低頻電路內(nèi)，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運(yùn)用。油浸電容器的耐壓比普通紙質(zhì)電容器高，穩(wěn)定性也好，適用于高壓電路。
　　
　　7、微調(diào)電容器
　　
　　電容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)整，并可在調(diào)整后固定于某個(gè)電容值。
　　
　　瓷介微調(diào)電容器的Q值高，體積也小，通?？煞譃閳A管式及圓片式兩種。
　　
　　8、云母和聚苯乙烯介質(zhì)的通常都采用彈簧式東，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，但穩(wěn)定性較差。
　　
　　線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅絲〈外電級(jí)〉來(lái)變動(dòng)電容量的，故容量只能變小，不適合在需反復(fù)調(diào)試的場(chǎng)合使用
　　
　　9、陶瓷電容器
　　
　　用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡娂?jí)制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
　　
　　具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場(chǎng)合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路。
　　
　　云母電容器就結(jié)構(gòu)而言，可分為箔片式及被銀式。被銀式電級(jí)為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好，Q值高，溫度系數(shù)小不能做成大的容量廣泛應(yīng)用在高頻電器中，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器。
　　
　　10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴涂的特殊混合物噴涂成薄膜而成，介質(zhì)再以銀層電級(jí)經(jīng)燒結(jié)而成"獨(dú)石"結(jié)構(gòu)性能可與云母電容器媲美，能耐受各種氣候環(huán)境，一般可在200℃或更高溫度下工作，額定工作電壓可達(dá)500V，損耗tgδ0.0005～0.008。

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隔直電容器

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